高溫電爐加熱元件硅碳棒的選定

1） 首先要確定表面負荷密度。一般情況下，SINTERUI硅碳棒表面負荷密度是由爐內溫度和硅碳棒表面溫度的關系求得，表面負荷密度不超過硅碳棒極限表面負荷密度的1/3。由于硅碳棒上施加的功率越大，硅碳棒的表面溫度越高，表面負荷密度越大，老化越快。建議盡量降低硅碳棒的表面負荷密度。

2） 其次根據設備功率除以表面負荷密度得到硅碳棒的總發熱面積。已知爐膛尺寸便可求出不同直徑硅碳棒的根數。如果硅碳棒阻值不同，串聯時電阻高的硅碳棒負荷較集中，易導致某一根硅碳棒的電阻快速增加，壽命變短。所以硅碳棒盡可能并聯使用。但是硅碳棒的并聯使用，直接造成線路電流的增加，導致初期設備投資的增加。SINTERUI硅碳棒一般是串、并聯接線結合使用。建議采用2根串聯為一組后多組并聯。

3） 回路額定電壓的計算可根據以下公式得出電壓：? V=

V：回路額定電壓[V]

Pm：設備功率[W]

r：SINTERUI硅碳棒1000[℃]時的電阻[Ω]（參照規格表）

S：串聯接線數[根]

P：并聯接線數[根]

舉例：設備功率Pm=16[kW]

2S-8P（2根串聯、8根并聯）接線

如選用SH14*500*300（3.57Ω），則V=√16000*3.57*2/8? =119.5→115[V]

所得電壓數值（119.5）減到能被5整除的數值（115V）。

4）? 硅碳棒在使用過程中電阻會增加，一般情況下初期使用硅碳棒電阻值增加較快，然后到達穩定期，電阻值達到初始阻值的約3倍時為硅碳棒極限壽命（而螺旋棒卻不同，要達到其初始阻值的約1.7倍）。所以要想有效利用好硅碳棒，需要電壓補償裝置以針對電阻的變化。電壓補償范圍是額定電壓的1.73倍。為減少無效電力提高設備電源容量使用率建議使用帶有多極抽頭的自耦變壓器，電壓轉換開關和晶閘管電力調整器的電力控制裝置可以提高硅碳棒的壽命。小容量電力設備可控硅裝置可單獨作業。在低電壓大電流狀態下，可將變壓器安裝在晶閘管電力調整器的輸出端。 考慮到硅碳棒在700到1000℃的電阻值變化為10%。變壓器的容量要留10%的余地，晶閘管電力調整器要留15-20%的余地。例如：如電爐的設備容量為30KW，則變壓器為33KVA，晶閘管電力調整器容量為36KVA.

5）? 有關硅碳棒的選型的接線方式（單相并聯，2根串聯后再并聯；三相星型，三相三角型）敬請來電咨詢。

如果硅碳棒阻值不同，串聯時電阻高的硅碳棒負荷較集中，易導致某一根硅碳棒的電阻快速增加，壽命變短。SINTERUI硅碳棒一般是串、并聯接線結合使用。建議采用2根串聯為一組后多組并聯。特別當爐內溫度超過1350℃時必須并聯。三相接線時建議使用開放三角形接線。