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熱搜關鍵詞： 滑軌爐 1200℃大口徑滑軌爐 管式快速退火爐 滲碳爐爐蓋總成
小型PECVD管式爐又叫做等離子增強化學氣相沉積(PECVD)的設備，是制造半導體器件和電池(電池片、正負極電池材料等)、晶體生長(石墨烯生長、磚石生長等材料)的重要工具之一。
PECVD系統是借助微波或射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在較低的溫度下合成高質量的薄膜材料，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。
電源范圍廣;溫度范圍寬;濺射區域長;整管可調;精致小巧,性價比高;可實現快速升降溫,是實驗室生長薄膜石墨烯,金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等的好選擇;也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。
爐體：
爐體是PECVD管式爐的主體結構，通常采用高溫合金材料制造，能夠承受高溫和高壓。
加熱系統：
加熱系統是PECVD管式爐的核心部分，通常采用輻射加熱方式，通過高溫電熱元件將電能轉化為熱能。
反應室：
反應室是PECVD管式爐的核心部件，它是一個密閉的、能夠控制氣氛的容器。反應室內部通常安裝有熱電偶和溫度控制器。
微波或射頻系統：
微波或射頻系統是PECVD管式爐的重要部分，用于產生等離子體，增強化學反應。
氣體系統：
氣體系統是PECVD管式爐的重要組成部分，用于控制氣體的流入和流出，保證化學反應的順利進行。
控制系統：
控制系統是PECVD管式爐的關鍵部分，用于控制設備的運行和化學反應的過程。
安全保護系統：
安全保護系統用于確保設備運行的安全性和穩定性。
PECVD非晶硅沉積速率快，可實現原位摻雜，將沉積工藝總時間控制在35分鐘以內。雖然PECVD也會在硅片側面及電池正面邊緣區產生輕微的繞度區，但是易于去除。此外，PECVD的非晶硅僅沉積在石墨舟上，可定期清理，無需石英管耗材。
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產品名稱 |
CVD化學氣相沉積系統 |
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產品電爐型號 |
STR-CVD/PECVD |
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滑道 |
帶滑道，可滑動爐膛，實現快速升溫或冷卻功能 |
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加熱區長度 |
400mm??單溫區/雙溫區 |
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爐管尺寸 |
直徑60x1200mm 外徑x長 |
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爐管材質 |
高純石英管 |
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工作溫度 |
≤1100℃ |
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溫控系統 |
人工智能PID儀表，自動控制溫度 |
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溫控精度 |
±1℃ (具有超溫及斷偶報警功能) |
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加熱速率 |
建議 0~10℃/min |
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加熱元件 |
高品質電阻絲 |
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真空系統 |
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額定電壓 |
單相 220V 50Hz |
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可通氣體 |
氮氣、氬氣等惰性氣體 |
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測溫元件 |
熱電偶測溫 |
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殼體結構 |
雙層殼體結構帶風冷系統 |
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真空法蘭 |
帶有進氣口，另一端帶控壓閥，氣動泄壓閥和放氣閥。 |
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供氣系統 |
四路精密質子流量計，通過觸屏來調節氣體流量 |
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真空系統 |
旋片泵，真空度在空爐冷態可達1pa， 真空計：進口數顯真空計實時顯示真空度，精度高。 |
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氣體定量系統 |
整體可以控制壓力范圍-20kpa到20kpa(相對壓力) |
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額定電壓 |
單相 220V 50Hz |
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電爐型號 |
爐管直徑x加熱區長度mm |
功率(kW) |
設計溫度設計溫度（℃） |
射頻電源 |
氣體控制 |
真空度（Pa） |
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| 頻率 | 功率 | ||||||
|
STR-PECVD-60 |
Φ60×450 |
4 |
1200 |
13.56MHz±0.005% |
300-500W |
3路 |
10Pa/7x10-3 |
|
STR-PECVD-80 |
Φ80×450 |
5 |
1200 |
3路 | 10Pa/7x10-3 | ||
|
STR-PECVD-100 |
Φ100×450 |
7 |
1200 |
3路 | 10Pa/7x10-3 | ||
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